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Nikkei X-TECH_2023.5.19

르네사스, SiC 파워반도체 사업 참여 선언
2025년에 생산 시작

“르네사스 일렉트로닉스는 2025년에 탄화규소(SiC) 파워반도체 생산을 시작할 예정이다”. 5월 19일, 르네사스 일렉트로닉스가 온라인으로 개최한 전략 설명회 ‘2023 Capital Market Day’에서 시바타(柴田) 대표이사 사장 겸 CEO는 이렇게 밝혔다.

르네사스 일렉트로닉스는 2022년 11월, 독일에서 개최된 국제 전자부품 및 시스템 전시회 ‘electronica 2022’에서 SiC 파워반도체 사업으로의 참여를 선언했으며, 그 구체적 계획을 표명한 것은 이번이 처음이다. 올해부터 투자를 시작해 2025년에 생산을 개시한다고 한다. SiC 파워반도체는 르네사스의 다카사키(高崎)공장의 6인치(150mm) 웨이퍼 라인에서 생산될 예정이다.

시바타(柴田) CEO는 파워반도체 공장으로서 재가동되는 고후(甲府)공장의 상황에 대해서도 밝혔다. 르네사스 일렉트로닉스는 2022년, 고후공장의 재가동에 대규모 자본을 투입했다. 대만 TSMC(臺灣積體電路製造)의 진출로 들끓는 구마모토(熊本) 현과는 달리, “야마나시(山梨) 현에는 큰 경쟁자가 없어 직원의 채용이 순조롭게 진행되고 있다”(시바타 CEO)고 한다.

고후공장의 12인치(300mm) 웨이퍼 라인을 이용한 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 파워반도체 생산도 2025년에 개시될 예정이며, 현시점에서는 고후공장에서 SiC 파워반도체를 생산할 계획은 없다고 한다.

“파워반도체 분야에서 우리는 상당히 뒤처진 후발 주자이다. 예를 들어, 현재 EV(전기자동차)용 IGBT의 시장점유율은 10% 정도로 추정되고 있다. 고후공장에서의 생산이 시작된다면, 이것을 2배, 3배로 늘릴 수 있을 것이다”(시바타 CEO). 시바타 CEO는 “점유율은 작지만, 고객으로부터 IGBT의 기존 제품과 현 제품의 평판이 높다. 이 평판을 SiC 파워반도체 사업에도 활용할 수 있을 것이다”라고 자신감을 보였다.

“현재, SiC 파워반도체 시장 규모는 작지만, 향후 크게 성장할 것임은 틀림없다. 자사의 SiC 파워반도체에 대한 문의는 (생산하고 있지 않은) 지금도 매우 많이 들어오고 있다. 2025년에 생산을 시작하면 순조롭게 사업을 추진할 수 있을 것이다” (시바타 CEO)라고 한다.

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