일본산업뉴스요약

GaN 파워반도체 디바이스, 도쿄 모터쇼 출품
나고야대학, EV의 성능 및 에너지 효율 향상

나고야대학은 질화갈륨(GaN)의 파워 반도체 디바이스를 이용한 전기차(EV)를 10월 24일에 도쿄 빅사이트에서 개막하는 도쿄 모터쇼에 출품한다. 차세대 반도체로 연구개발을 추진하고 있는 GaN의 디바이스를 인버터 및 컨버터 등에 탑재해 EV의 성능 및 에너지 효율을 대폭 향상할 수 있다는 점을 어필한다.
 

GaN은 실리콘카바이드(SiC) 등 기존의 반도체 재료와 비교해 에너지 변환 효율이 높아져 운송 및 발전 등의 용도에 이용함으로써 에너지 절약이 가능하다. EV의 인버터에서는 10배 정도의 고내압화와 100배 정도의 저손실화가 전망되며 전동화 시스템의 대전력화 및 고효율화, 고주파화로 연결된다.

모터쇼 출품 시에는 공도에서는 달리지 않지만 공도 이외에서 실제로 주행하여 GaN 채용으로 인한 효과를 체감할 수 있게 만들 생각이다.
 

GaN 파워 반도체 디바이스의 자동차로의 실용화를 위해서는 나고야대학의 미래재료∙시스템 연구소(IMaSS)의 산학 협동 연구 부문에 토요타자동차 및 덴소 등이 참가를 계획하고 있다. 결함 및 불순물을 정확하게 제어하는 프로세스 기술 등에서 개발에 속도를 낼 생각이다.

GaN의 연구에서는 파워 디바이스 등 광 디바이스 및 고주파 디바이스 등에서 실용화를 목표로 하고 있다. 고주파로의 대전력 트랜지스터 등에 활용할 수 있는 세로형 디바이스를 개발했으며 크기도 현재의 2인치에서 6인치로 대구경화하는 원천기술은 개발해 양산기술 확립을 목표로 하고 있다. 2030년까지 모든 전력 소비량을 15% 절감으로 연결할 생각이다.

-- 끝 --