- 파워디바이스 연구 가속화 -- 물질∙재료연구기구와 나고야대, 공동 연구실
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- 기사일자 2016.11.23
- 신문사 일간공업신문
- 게재면 18면
- 작성자hjtic
- 날짜2016-11-30 10:54:56
- 조회수607
파워디바이스 연구 가속화
물질∙재료연구기구와 나고야대학, 공동 연구실 개설
물질∙재료연구기구(이하 물재기구)와 나고야대학은 22일, 질화칼륨(GaN)을 사용하는 차세대 파워디바이스의 연구개발을 가속화하기 위해, 두 기관에 각각 공동 연구실을 설치한다고 발표했다. 실용화 단계를 탄화규소(SiC) 파워디바이스의 차세대 기술이 될 것이라고 전망하고, 액정∙디바이스의 평가법의 개발과, 표준화를 위한 연구 등, GaN 기반기술의 확립을 목표로 한다.
2014년의 노벨물리학상을 수상한 나고야대학의 아마노 교수와, 물재기구의 코이데 이사의 이름을 딴 「아마노∙코이데공동연구랩」으로서 2016년말을 기준으로 개설한다. 두 기관은, 2016년도부터 시작된 문부과학성의 차세대 반도체 GaN의 연구개발사업에서 연계하고 있고, 이 프로젝트를 가속화한다.
두 기관 합쳐서 10명 정도의 연구원을 연구실에 둔다. 아마노 교수, 코이데 이사의 상호 크로스∙어포인트먼트를 실시하고, 물재기구의 물성평가와, 나고야대학의 GaN액정성장기술을 서로 활용한다.
아마노 교수의 노벨상수상으로 이어졌던 청색 발광다이오드(LED)에는, GaN이 사용되고 있다. GaN은 LED 등 발광소자에 대한 응용만이 아닌, 고효율로 고전압, 대전류를 제어하는 파워디바이스의 재료로서도 유망하다고 보고, “GaN액정 내에 발생하는 결함의 이해와 제어라고 하는, 본질적인 부분을 이해하기 위한 연구를 추진한다.” (아마노 교수)
일본내각부의 전략적이노베이션창조프로그램(SIP)의 「차세대 파워일렉트로닉스」에서도 최근, 종형GaN파워디바이스의 개발에서 성과를 올렸다. 미국에서도 같은 움직임의 프로젝트가 진행되고, 경쟁은 치열해지고 있다.
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