압도적 잠재력, 하지만 실용의 길은 멀어
파워디바이스 재료는 일반적으로 밴드갭(Bandgap)이 넓을수록 우수한 특성을 갖는 경향이 있다. 이 때문에 탄화규소(SiC)의 밴드갭 에너지(3.3eV)를 크게 웃도는 질화알루미늄(AlN, 약 6eV), 입방정 질화붕소(c-BN, 약 6.5eV), 루틸형 이산화게르마늄(r-GeO2, 약 4.6eV)은 우수한 재료라고 할 수 있다.
하지만, 이 재료들에는 극복해야 할 과제들도 많이 남아 있으며, 다이아몬드 등 다른 울트라와이드밴드갭(UWBG) 반도체에 비해 연구가 크게 뒤처진 것도 사실이다. 실용화의 성패는 이 재료들의 압도적인 잠재력을 끌어낼 수 있느냐에 달려 있다.
■ 질화알루미늄(AlN)
트랜지스터 동작에 첫 성공
질화알루미늄은 질화갈륨(GaN)과 질화알루미늄갈륨(AlGaN)의 연장선상에 있는 질화물 반도체로, 파워디바이스 및 발광 소자로서의 연구가 진행되고 있다. 질화알루미늄 재료를 오랜 기간 연구해 온 NTT에 따르면, 지금까지 질화알루미늄이 트랜지스터로서 동작한 연구 보고 사례는 없었다고 한다. 이러한 가운데, NTT 물성과학기초연구소 다원물질창조과학연구부 박막재료연구그룹이 2022년 4월, 세계 최초로 질화알루미늄 트랜지스터의 동작을 실현했다고 발표했다.
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