일본산업뉴스요약

처리성능 4배, 자율주행차 전용
르네사스의 반도체 메모리

일본 반도체기업 르네사스 전자(Renesas Electronics)는 현재의 28nm 세대(나노(n)는 10억분의 1)와 비교하여 4배 이상의 처리성능을 갖는 16n/14n 세대 반도체 메모리 셀을 개발하였다. 회로에 삽입하기 쉬운 Fin구조의 입체 트랜지스터를 채용, 성능이 열화되기 쉬웠던 과제를 개선하여 차량탑재에 적용 가능한 신뢰성을 확보하였다. 자율주행을 지원하는 대용량 메모리 내장의 Microcomputer로서 2023년 무렵에 실용화한다.

개발한 기술을 활용한다면 100MB급(메가는 100만)의 메모리를 탑재하는 16n/14n 세대의 Microcomputer의 실현으로 이어진다. 샌프란시스코에서 열리고 있는「국제전자 디바이스 회의(IEDM)」에서 발표한다.

실리콘 위에 질화막을 산화막 사이에 끼운 3층 구조와 Gate를 얹고, 또한 Gate전극을 2개로 나눈「Split Gate(SG)–Charge Trapping(MONOS)」형의 Flash Memory 셀을, 세계에서 처음으로 Fin구조로 만들었다. SG-MONOS는 논리회로 공정과의 친화성이 높다. Fin구조에 있어서, 종래의 Planer구조의 평면 트랜지스터와 동등 이상의 메모리 동작성능을 실증했다. 메모리의 대용량화에 임계값(Threshold) 전압의 불균형도 조정하고 있다.

또한 Fin구조의 과제였던 특성인 열화를, 기록할 때의 전압을 단계적으로 올리는「Step Pulse」방식을 채용하는 방법으로 개선했다. 이러한 아이디어에 따라 기존과 동일한 수준인 25만회의 기록 내성을 실증하여, 차량탑재 용도로 요구되는 고온에서의 10년 이상의 데이터 보존 특성도 확인했다.

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