일본산업뉴스요약

르네사스, 메모리 내장 마이크로컴퓨터
세계에서 가장 좁은 선폭 16nm 실현, 23년 출하 목표

반도체기업 르네사스 일렉트로닉스는 최첨단 마이크로컴퓨터에 내장하는 플래시메모리의 셀 구조의 동작 확인을 완료하였다. 회로를 세계에서 가장 좁은 16나노미터(나노는 10억분의 1)의 선폭으로 형성. 메모리의 리라이팅이 25만번 가능하며, 160도의 고온에서도 10년 이상 데이터를 보관할 수 있는 안정 성능을 실현하였다. 고속연산처리가 필요한 자율주행 차량용으로 2023년에 샘플 출하를 목표로 한다.

고성능 연산처리용 반도체에 반드시 필요한 플래시메모리의 최소 단위인 셀 부분으로, ‘Split-Gate MONOS’라고 부르는 독자적인 구조를 채용하였다. MONOS는 실리콘 기판 위에 산화막과 질화막, 산화막이 중첩된 3층 구조가 있고, 질화막에 전자를 모아 데이터를 기억하는 구조다. 미국 샌프란시스코에서 5일 개최되는 반도체 국제학회(IEDM)에서 발표한다.

자율주행 기술의 진전으로 대용량 데이터를 고속으로 연산 처리하는 반도체에 대한 요구가 증가하고 있다. 르네사스는 운전자가 필요 없는 ‘레벨5’의 완전 자율주행 차량용으로, 최첨단 대규모 집적회로(LSI)나 마이크로컴퓨터를 연구 개발하고 있다.

플래시메모리가 내장된 마이크로컴퓨터는 메모리에 소프트를 탑재하였다. 소프트를 업데이트함으로써 자동차의 제어기능을 기술혁신에 맞춰서 경신할 수 있다는 이점이 있다. 회로를 미세화하여 칩에 탑재하는 플래시메모리나 주변기기의 집적도를 높인다.

자동차는 스마트폰 등 휴대전화나 가전제품과 달리 이용 기간이 길고 사이버 공격 대책 등 시큐리티 기능을 경신하거나 고기능화를 해야 할 필요가 있다. 따라서 메모리가 내장된 마이크로컴퓨터의 수요는 앞으로 증가할 전망이다.

차량탑재용 반도체 세계 3위인 르네사스는 독일 인피니온 테크놀로지나 네덜란드의 NXP세미컨덕터 등과 자율주행용 반도체를 둘러싸고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 높은 점유율을 보유하고 있는 마이크로컴퓨터 분야의 첨단기술 개발에 지속적으로 투자하여, 국내외의 자율주행 차에 채용을 촉구한다.

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