일본산업뉴스요약

소프트뱅크와 인텔의 새로운 메모리 ‘ZAM’
HBM 대체 노려, 후카쿠 NEXT도 시야에

소프트뱅크의 자회사로 차세대 메모리를 개발하는 사이메모리(SAIMEMORY, 도쿄)는 2026년 2월 2일, 인텔과의 협업을 발표했다. 양 사는 AI(인공지능) 모델의 학습 및 추론에 사용되는 메모리 ‘ZAM(Z-Angle Memory)’을 개발. 2027년에 시작(試作)하고, 2029년에 실용화하는 것을 목표로 하고 있다. 개발에는 이화학연구소(理化学研究所)와 후지쓰(富士通)도 참여할 것으로 전망된다.

양사는 이번 프로젝트에 2027년까지 약 80억 엔을 투입할 계획이다. 개발에는 소프트뱅크가 약 30억 엔, 후지쓰와 이화학연구소가 총 10억 엔 규모를 출자하고, 경제산업성도 지원할 것으로 보인다.

사이메모리의 야마구치(山口) 사장 겸 CEO는 2026년 2월 3일, 인텔이 도쿄에서 개최한 이벤트에 참석해 “개발에서 생산까지 포함된 공급망을 구축해 일관된 솔루션을 제공해 나가고 싶다.”라고 강조했다.

양사는 ZAM이 AI 분야에서 수요가 급증하고 있는 고속 D램 ‘HBM(광대역 메모리)’을 대체하는 것을 노리고 있다. 인텔의 반도체 기술을 기반으로 HBM보다 빠르고 저전력에 저렴한 AI용 메모리를 개발할 계획이다.

소프트뱅크그룹(SBG)은 2025년 8월, 인텔에 대한 20억 달러(약 3,000억 엔) 출자를 발표했다. 산하의 소프트뱅크를 통해 SBG의 회장 겸 사장인 손 정의 회장이 중시하는 차세대 반도체 기술개발에서도 인텔과 협력한다.

AI 데이터센터 내 컴퓨터는 CPU(중앙연산처리장치)와 GPU(영상처리반도체) 간의 데이터 전송량이 급증. ‘메모리 월(Memory Wall)’이라고 불리는 기술적 제약이 발생하고 있다. AI 성능 향상을 위해 메모리의 고용량화와 광대역화, 저전력화, 발열 억제 등이 강하게 요구되고 있다.

ZAM을 어떤 기술로 실현할지에 대해 자세히 밝혀지지 않았지만, 칩의 구현 방식에 독자적인 아이디어가 적용된 것으로 보인다. 즉, 메모리 칩을 눕히지 않고 세워서 이를 수평 방향으로 간격을 두고 배열하는 구조를 채택한 것으로 보인다.

그 기반이 되는 기술은 인텔이 미국 국방고등연구계획국(DARPA)의 지원을 받아 약 10년 전부터 개발해 온 것이다. 개발을 주도한 인텔 코퍼레이션 정부기술부문의 프라이면 CTO(최고기술책임자)는 “현행의 D램 기술인 HBM이나 DDR(Double Data Rate)보다 저렴하면서도 고성능의 메모리를 실현할 수 있다.”라고 밝혔다.

사이메모리는 인텔로부터 기술을 제공 받아 실용화를 위한 개발을 추진하고 있다. 개발에는 이화학연구소와 후지쓰도 참여할 전망이다. 사이메모리는 팹리스(Fabless, 반도체 제조 공장 없이 반도체 설계와 기술개발만 전담) 형태의 개발 회사로, 생산은 메모리 제조 업체 등에 위탁할 것으로 보인다.

도쿄에서 개최된 인텔의 이벤트에는 이화학연구소 계산과학연구센터의 마쓰오카(松岡) 센터장이 게스트로 참여했다. 그는 이화학연구소와 후지쓰가 2030년경의 가동을 목표로 하고 있는 차세대 슈퍼컴퓨터 ‘후가쿠(富岳) NEXT’ 개발을 이끌고 있다. 마쓰오카 센터장은 사이메모리 및 인텔의 공동 개발과 관련해서는 언급할 수 없다라고 전제하며, “후가쿠 NEXT의 가장 큰 과제는 메모리 대역폭, 지연, 용량, 전력, 그리고 코스트이다.”라고 지적. 이러한 문제들을 극복할 수 있는 새로운 메모리에 대한 기대를 명확히 드러냈다.

이화학연구소는 후가쿠 NEXT에 ‘첨단 기술이 도입된 적층 메모리’를 채택할 방침이라고 밝혔다. 이 메모리가 ZAM을 가리키는 것으로 보인다.

-- 효율적으로 열을 배출 --
ZAM에 채택된 칩을 세워 수평 방향으로 배열하는 방식은 방열성이 높고, 코스트가 낮으며 고용량화이기 때문에 다른 방식에 비해 유리하다. 가장 큰 특징이라 할 수 있는 것은 방열성이 높다는 점이며, 그 이유는 메모리칩을 구성하는 재료에 주목하면 이해할 수 있다.

칩의 주성분은 실리콘이다. 한편, 칩과 칩 간은 이산화규소(SiO₂)와 수지 필름으로 절연된다. 실리콘의 열전도율은 약 130W/m·K로 높아 열 전달이 용이하고, SiO₂는 약 1.4W/m·K로 낮아 열 전달이 어렵다.

이 SiO₂와 수지 필름이 방열 경로를 막아 열이 갇히게 되고, 그 결과, 칩의 온도가 상승해 오작동이나 열화(劣化)를 일으킨다. 반면, 칩을 세우면 열이 실리콘칩을 통해 빠르게 빠져나가게 된다.

-- 끝 --

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