일본산업뉴스요약

나노일렉트로닉스 발전에 기여
단일 초전도 나노튜브 이용한 트랜지스터 개발

도쿄대학 대학원 공학계연구과 부속양자상 일렉트로닉스 연구센터의 이와사(岩佐) 교수 연구팀은, RIKEN(理化学研究所) 등과 공동으로, 단일 초전도 나노튜브를 사용한 트랜지스터를 개발하였다. 에너지 절약 디바이스 개발 등을 지원하는 나노일렉트로닉스 발전에 기여할 것으로 기대한다. 국제학술지인 Nature Communications에 게재되었다.

연구팀은 무기 나노튜브의 일종인「이황화텅스텐(Tungsten Disulfide)」에 있어서, 전해질 게이트를 사용하는 전자나 정공(正孔, hole) 등의 커리어(carrier) 수를 제어하였다. 이에 따라 나노튜브의 전기 전도성을 제어할 수 있으며, 전자를 다량으로 첨가한 영역에 있어서 초전도가 발현한다는 사실을 발견하였다.

이 결과는 단일 나노튜브의 초전도에 대한 첫 보고라고 한다. 초전도 특성의 상세한 측정에 따라, 나선형 원통구조 등 특징적인 형태에서 유래하는 신규 초전도 수송 특성도 관측할 수 있었다.

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