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니케이 일렉트로닉스 2025/11 레조낙 등 27개 사가 새로운 연합 구축

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Nikkei Electronics_25. 11

레조낙 등 27개 사가 새로운 연합 구축
대형 패널을 사용하는 후공정을 공동 개발

레조낙 홀딩스(Resonac Holding)는 2025년 9월 3일, 자사를 포함한 국내외 27개 사로 구성된 차세대 반도체 패키지 기술을 개발하는 컨소시엄을 설립했다고 발표했다. 도쿄일렉트론과 AGC 등, 반도체 제조장치·부재·설계 툴을 전문으로 하는 기업들이 참여한다. 컨소시엄에서는 대형 유리 패널을 지지 재료로 사용해 AI(인공지능) 반도체의 칩 사이를 연결하는 인터포저(중간 기판)를 저가로 제조하는 ‘패널 레벨 패키지’를 2030년경에 실용화하는 것을 목표로 한다.

-- 130개 사에 제안 --
이 컨소시엄의 이름은 ‘JOINT 3’. 레조낙이 약 130개 사에 참여를 제안했고, 미국의 Applied Materials와 캐논, 에바라(荏原), JX금속, 미국의 Synopsys, 우시오전기 등 26개 사가 참여를 결정했다. 앞으로 참여 기업이 더 늘어날 가능성도 있다.

레조낙 홀딩스의 다카하시(高橋) 사장은 발표회에서 “일본의 모노즈쿠리(제조)가 다시 세계 무대에서 존재감을 발휘하려면 글로벌 수준의 코크리에이션(Co-creation)이 불가결하다. JOINT 3는 그 첫걸음이 될 것이다”라고 강조했다. 컨소시엄은 레조낙 홀딩스가 이바라키(茨城)현에 보유한 사업소 내에 패널 레벨 패키지의 시제 라인을 구축해 2026년에 가동시킬 예정이다. 컨소시엄의 활동 기간은 2025년 8월부터 5년간으로, 참여 기업이 총 260억 엔을 출자한다. 정부의 지원은 전제로 하고 있지 않다.

JOINT 3는 레조낙이 주도하는 반도체 패키지 관련 컨소시엄으로는 4번째이다. 2018년에 'JOINT', 2021년에 'JOINT 2', 2024년에 미국 실리콘밸리에서 'US-JOINT'를 각각 출범시켰다. JOINT 3는 “다음에는 패널 레벨 패키지가 올 것이라고 예상하고 약 2년 전부터 설립을 준비해 왔다”(레조낙 홀딩스 반도체재료연구개발 총괄의 아베(阿部) 씨)라고 한다.

개발에서는 크기가 510mm×515mm인 패널을 채택. “업계에서는 600mm x 600mm 나 700mm x 700mm의 제안도 있었지만, 제조 장치가 기본적으로 갖추어져 있어 기존 설비를 사용할 수 있는 510mm×515mm를 선택했다”(아베 총괄). 라피더스(Rapidus, 도쿄)는 600mm x 600mm의 패널을 사용하는 패널 레벨 패키지 실현을 목표로 하고 있다.

-- 전(前)공정 기술을 도입 --
JOINT 3에는 Applied Materials를 비롯해 반도체 칩을 제조하는 전공정(웨이퍼 공정) 장치 전문 기업들이 많이 참여하고 있다. 반도체의 미세화에 의한 성능 향상이 둔화되고 있는 가운데, 후공정(패키징 공정)의 중요성이 증가하고 있는 것이 그 배경에 있다. 복수의 반도체 칩을 하나의 패키지에 담는 첨단 패키징이라고 불리는 영역에서는 미세 가공을 강점으로 하는 전공정 기술 도입이 열쇠를 쥐고 있다.

도쿄일렉트론의 세가와(瀨川) 집행 임원은 “전공정의 정밀한 가공 기술과 후공정의 재료 손실을 낮추는 기술을 융합하고 싶다”라고 말한다. 에칭 장치에서 세계 선두 기업인 미국 Lam Research 오스트리아 법인의 수(SU) 시니어 디렉터는 “고성능 반도체를 개발해 나가기 위해서는 후공정 기술이 중요한 요소가 된다”라고 말한다.

-- 패널 레벨 패키지 기술을 연마 --
패널 레벨 패키지에서는 대형 유리 패널을 지지 재료로 사용해 유기 RDL(재배선층) 인터포저라고 불리는 중간 기판을 제조한다. 그 위에 반도체 칩을 탑재해 배선 및 봉지 등의 공정을 일괄로 실시한다.

현재는 직경 300mm의 실리콘 웨이퍼를 사용하는 ‘웨이퍼 레벨 패키지’가 널리 사용되고 있다. 지지 재료의 형태를 원형에서 각형으로 바꾸는 동시에 대형화함으로써 인터포저 등의 생산량이 증가해 제조 코스트를 낮출 수 있다.

개발에서는 유기 RDL 인터포저와 칩 매립형 인터포저를 대상으로 한다. 전자에서는 선폭/선 간격(L/S)이 1µm/1µm 이하로, 배선 수는 5층 이상, 후자에서는 L/S 2/2µm를 목표로 한다.

이 두 가지 모두 JOINT2로부터 연장선상에 있는 기술이다. 유기 RDL 인터포저는 지금까지 320mm x 320mm의 패널을 사용해 1.5µm/1.5µm의 L/S를 달성. 칩 매립형 인터포저에서는 510mm×515mm의 패널을 사용해 5µm/5µm의 L/S를 실증했다.

 -- 끝 --

 

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