- 미쓰비시전기, SiC 파워반도체를 가전으로 확대 -- 고내압 제품에는 산화갈륨도
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- 카테고리미래기술,전망/첨단산업
- 기사일자 2026.06.25
- 신문사 Nikkei X-TECH
- 게재면 online
- 작성자hjtic
- 날짜2026-09-01 08:59:57
- 조회수104
미쓰비시전기, SiC 파워반도체를 가전으로 확대
고내압 제품에는 산화갈륨도
미쓰비시전기는 탄화규소(SiC) 파워반도체를 에어컨 등 가전기기용 제품으로 확대한다. 이와 함께 전력 인프라 등을 대상으로 내압 10kV의 고내압 제품 출시도 검토하고 있다. 차세대 고내압 제품을 위해 산화갈륨(Ga₂O₃) 연구개발도 추진한다.
2026년 5월 29일 개최한 ‘IR Day 2026’과 같은 해 6월 독일 뉘른베르크에서 열린 세계 최대 규모의 파워일렉트로닉스·파워반도체 전시회 ‘PCIM Expo & Conference’ 등에서 이 같은 계획을 공개했다. 같은 해 7월 2일 개최되는 ‘파워반도체 업계 AI 데이터센터와 휴머노이드 로봇, EV가 견인’(주최: 닛케이 크로스테크/닛케이 일렉트로닉스)에서도 관련 연구개발 성과를 설명할 예정이다.
-- SiC를 에어컨용으로 적극 확대 --
미쓰비시전기가 내세우는 파워반도체 분야의 중점 전략은 크게 2가지다. 첫 번째는 SiC 제품의 강화다. 제품 라인업을 확대하는 동시에 비용 경쟁력을 높인다. 예를 들면, 미쓰비시전기가 백색가전 등 소비자용 분야에서 강점을 보이는 모듈 ‘DIPIPM’ 시리즈의 소형 패키지 제품에 SiC를 적극적으로 채택해 나간다. 구체적으로 SiC를 적용한 ‘SLIMDIP’ 제품을 2025년부터 양산하고 있다. 앞으로는 새롭게 ‘Compact DIPIPM’ 제품에 SiC를 적용한 제품을 개발해 2027년도에 양산할 예정이다.
에어컨에 대한 에너지 절약 규제가 강화되는 가운데, 하이엔드 제품을 중심으로 고효율화를 실현할 수 있는 SiC에 대한 수요가 높아지고 있는 것이 배경이다. 기존에는 주로 실리콘(Si) 파워반도체를 채택해 왔다.
SiC 시장에서는 중국 업체들이 부상하고 있으며 가격 경쟁력도 높다. 이에 미쓰비시전기는 수직 연계를 통한 비용 경쟁력 강화를 추진한다. SiC 웨이퍼 대기업인 미국 코히런트와의 협업, 구마모토현 기쿠치시 시스이 지역에 건설한 신규 공장 건물 등을 통해 웨이퍼 직경 200mm(8인치) 전환을 추진한다. 이를 통해 생산성을 높이고 비용 경쟁력을 강화한다.
자동차 분야에서도 SiC 판매 확대를 노린다. 이를 위한 기술 개발에도 적극적으로 나서고 있다. 예를 들면, 주로 자동차용 애플리케이션을 대상으로 제5세대 SiC MOSFET(금속산화막전계효과트랜지스터)을 개발했다. 기존 제품과 비교해 온저항을 약 25% 낮췄다. 2026년 6월 하순부터 샘플 출하를 시작한다.
-- 고내압 분야에서 산화갈륨에 기대 --
두 번째 중점 전략은 고내압 제품 강화다. 미쓰비시전기는 주요 파워반도체 업체 가운데서도 내압 3.3kV와 4.5kV, 6kV급의 고내압 제품에 강점을 갖고 있다. 관련 수요가 왕성한 만큼 생산능력을 확대하고 생산 효율도 높일 계획이다.
고내압 제품 라인업도 확대한다. 예를 들면, 기존보다 한층 높은 10kV 내압의 SiC MOSFET 제품화도 검토하고 있다.
고내압 제품을 위해 차세대 소재를 이용한 파워반도체 연구도 진행하고 있다. 그 소재가 Ga₂O₃(산화갈륨)이다. Ga₂O₃의 장점은 SiC와 비교해 고내압 제품을 더 낮은 비용으로 구현할 가능성이 있다는 점이다. 미쓰비시전기는 자체적으로 연구를 진행하는 동시에 스타트업 Novel Crystal Technology(사이타마현)에도 출자하고 있다. Novel Crystal Technology는 파워반도체 소자 제조에 필수적인 Ga₂O₃ 웨이퍼를 개발하고 있다.
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