일본산업뉴스요약

미쓰비시전기, xEV용 제5세대 SiC MOSFET 공개
온저항 25% 저감

미쓰비시전기는 자체 개발한 새로운 트렌치 구조의 5세대 SiC(탄화규소) 제조 MOSFET(금속산화막반도체 전계효과 트랜지스터) 칩 샘플 출하를 2026년 6월 하순에 시작한다. 기존 제4세대 SiC 제조 MOSFET에 비해 온저항을 약 25% 낮췄다. 전기차(EV)와 플러그인 하이브리드차(PHEV) 등 전동화차량(xEV)의 구동 모터용 인버터와 전동 액슬(eAxle) 적용을 목표로 한다.

미쓰비시전기는 1997년이라는 이른 시기에 xEV용 파워 반도체 모듈의 양산을 시작했다. 그 후, 열사이클(Heat Cycle) 내구 신뢰성을 향상시키는 등 인버터의 소형화를 위한 과제를 해결해 왔으며 그 결과 많은 EV와 하이브리드차(HEV)에 채택되었다고 설명한다. 2010년에는 전력 손실을 크게 줄일 수 있는 SiC 파워 반도체 모듈을 제품화해 에어컨, 산업용 장비, 철도 차량의 인버터 시스템에도 채택되었다고 한다.

이번 제5세대 SiC MOSFET의 제공을 통해 xEV용 인버터와 eAxle의 성능 향상 및 소형화를 실현하고, xEV의 주행거리 연장과 전비 개선을 가능하게 한다. 또한 독자적인 제조 공정 기술을 통해 성능 열화와 전력 손실, 온저항 등의 변동을 억제했다. 이를 통해 장기간 사용 시에도 안정적인 품질을 유지하고, xEV용 인버터와 eAxle의 내구성을 향상시켰다.

-- 새로운 트렌치 구조 채택 --
제5세대 SiC MOSFET에는 FSC(Flat Source Contact)라는 자체 개발 트렌치 구조를 새롭게 적용했다. 이전부터 적용해오던 사선 방향에서 이온을 주입하는 기술도 사용한다. 기존 트렌치 구조보다 셀 밀도를 높여 전류가 원활하게 흐를 수 있도록 함으로써 미쓰비시전기는 “업계 최고 수준”의 낮은 온저항을 구현했다. 이를 통해 기존 트렌치 구조를 적용한 제4세대 SiC MOSFET에 비해 온저항을 약 25% 감소시켰다.

독자적인 제조 공정 기술을 통해 바디 다이오드 통전(通電)에 따른 성능 열화를 억제하고, 스위칭 ON/OFF 동작 시 발생하는 전력 손실이나 온저항 등의 변동을 감소시키기도 했다. 이를 통해 품질이 장기간에 걸쳐 안정화되도록 했다.

2026년 6월 하순에 정격전압 1200V인 제품의 샘플 출하를 시작한다. 이어 7월 하순부터는 정격전압 750V 제품의 샘플 출하도 시작한다. 이들 신제품은 파워 반도체 국제 전시회 ‘PCIM Expo & Conference 2026’(2026년 6월 9~11일, 독일 뉘른베르크)와 일본, 중국 등에서 열리는 전시회에 출품될 예정이다.

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