전기전자/정보통신

NTT 기술저널_2019.8 (p4~5)

특집
새로운 기능 물질ㆍ재료 개발 연구의 최전선
신물질 개발 / 박막 재료 / 원자층 물질 / 나노와이어 / 물성 제어

NTT물성과학기초연구소에서는 고품질의 박막결정 제조 기술 및 고도의 가공·측정·분석 기술을 축적하고 발전시켜 이를 바탕으로 신규 재료 탐색 및 새로운 기능 소자의 실현, 더 나아가 물질적 고찰을 통한 학문적 이론 구축을 위한 연구를 추진하고 있다. 이번 특집에서는 최근 창출된 눈부신 성과에 대해 소개한다.

《목차》

■ NTT의 새로운 기능 물질 및 재료 개발 연구의 개요
산화물과 질화물을 비롯한 무기 재료에 초점을 맞춰 2차원 구조의 박막, 원자층 물질, 더 나아가 1차원적인 나노와이어에 관한 최신 연구 개요를 소개한다.

■ 최고의 강자성(强磁性) 전이온도를 가진 새로운 절연물질 Sr₃OsO₆제조
세계 최초로 합성·발견된 전기가 통하지 않는 물질(절연체) 가운데 가장 높은 온도(780도씨 이상)에서 자석으로서의 성질(강자성)을 나타내는 새로운 물질 Sr₃OsO₆에 대해 소개한다.

■ 자기적으로 둔화된 어븀(Er)의 희박한 첨가 산화물 결정 제조와 광물성
-- 양자 정보 조작 플랫폼을 목표로 연구
Er의 모체 결정으로서 우수한 성질을 가지고 있는 희박류 산화물의 Si기판 위로의 고품질 에피택셜성장(Epitaxial Growth)과 도핑, 그리고 그 광학적 성질에 대해 소개한다.

■ 2차원 유도면을 가진 고온 초전도체 기본 물질의 MBE성장과 원자 분해능 관측
고온 초전도체 등 복합 산화물의 최고 품질 박막을 실현하는 산화물 분자선 에피택시(Epitaxy) 기술과 원자 분해능을 가진 현미경 관찰, 격자상수 엔지니어링에 대해 소개한다.

■ 원자층 물질의 CVD 성장 기술
고품질 그래핀 단결정의 대면적화와 결정 방위 제어를 통한 h-BN(육방정 질화붕소)의 고품질화 기술에 대해 소개한다.

■ 새로운 기능의 와이드갭 반도체 재료 개척
독자적 방법을 통한 c-BN박막의 성장 기술과 실제 파워 디바이스 응용에 불가결한 도핑에 의한 c-BN박막의 전기 전도성 제어에 대해 소개한다.

■ 우르츠광형(Wurtzite) GaP나노와이어의 결정 성장
-- 태양광을 이용한 수소 생성 디바이스 개발을 위해
염소를 이용한 에칭(Etching, 식각)과 갈륨 원료를 반복적으로 공급하는 방법으로 만든 적층 결함이 없는 우루츠광형 GaP나노와이어에 대해 소개한다.

 -- 끝 --