일본산업뉴스요약

Nikkei X-TECH_2024.4.17

반도체 공장 탐방
되살아난 르네사스의 고후공장
총 8만명으로 EV용 파워반도체의 전략 거점으로

“재작년 경력자 채용으로 입사했어요. 야마나시현의 쇼와마치에 살며, 회사에서는 생산 관리를 담당하고 있습니다. 잘 부탁드립니다”.

르네사스 일렉트로닉스가 2024년 4월 11일에 개최한 고후공장(야마나시현 가이시)의 개소식. 협력기업 관계자 등 약 100명의 참석자 앞에서 인사를 한 여성 사원은, 약 10년만의 공장 재가동을 위해 현지에서 채용된 20명 중의 1명이다. 다른 거점에서 이 공장으로 돌아온 직원 40명과 함께 라인 출범에 구슬땀을 흘린다.

2010년 창사 이래 르네사스가 반도체 공장을 새로 가동하는 것은 처음이다. 1964년, 히타치제작소 고후공장으로서 조업을 시작한 것이 이 공장의 모체이다.

창업 이후 오랫동안 적자가 지속됐던 르네사스는 2010년대 초반 국내 생산거점을 대규모로 정리/축소했다. 고후공장은 200mm/150mm 라인에서 PC용 IC(집적 회로) 등을 생산하고 있었지만, 2014년 10월에 가동을 중단했다. 매각처를 찾았지만 구매자는 찾을 수 없었다.

그 후 10년 동안에 상황은 완전히 바뀌었다. 르네사스는 경영을 재건했다. 가장 최근인 2023년 1~12월기는 매출액 1조 4694억 엔, 순이익 3370억 엔을 기록했다.

개소식에서 인사한 르네사스의 시바타 히데토시 사장은 “회사의 상황도 사업 환경도 모두 바뀌었다. (고후공장은) 불사조처럼 되살아났다”라고 웃으며 말했다. 전기자동차(EV) 전용에서 파워반도체의 수요가 늘어나는 가운데, 파워반도체 사업의 전략 거점으로서 고후공장이 선정되었다. “EV나 AI(인공지능) 전용에서 무한대의 전력이 필요하게 된다”(시바타 사장). 공장 폐쇄에서 180도로 상황이 바뀌면서, 파워반도체 전용 공장으로서 재가동시키겠다는 계획을 2022년 5월에 발표했었다.

-- 120여개 기업이 협력해 2년여 만에 출범 --
재가동을 위해서 가동 중단 후에도 건물이 남아 있던 ‘K6동’에 3층 구조의 클린룸(총면적 1만 8000m2)을 재정비. 그 1층(약 6000m2)에 300mm 라인을 구축했다. 설비투자금은 약 900억엔으로, 22년에 투자했다.

25년 1월에 양산을 시작한다. EV 전용의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)나 범용/산업기기 전용의 파워 MOSFET를 생산할 계획이다. 후공정의 일부는, 야마나시현 내에 수탁 제조 거점을 두고 있는 가토전기제작소(야마나시현 도시무라)에 위탁한다.

시바타 사장은 개소식에서 “협력 기업의 여러분에게 진심으로 감사하고 싶다”라고 말했다. 그 이유는 새 라인을 가동하는 시기가 코로나19 사태와 반도체 부족 문제가 영향을 미치던 시기와 겹쳤기 때문이다. 그동안 제조장치 업체들은 반도체 부품 조달에 어려움을 겪었다. 그런데도 르네사스는 단기간에 라인을 가동한다는 계획을 취소하지 않았고, 공급업체 측도 그에 잘 맞춰주었다.

수전설비나 배수시설, 클린룸 내장 정비를 시작한 것이 22년 6월이다. 23년 10월에는 제조장치 반입을 시작하며 기술자가 상주하게 되었다. 24년 4월 시점에서 약 6000m2의 클린룸의 70% 정도 면적에 장치를 설치했다. 24년 7월에 디바이스를 시제하고, 동시에 웨이퍼의 자동 수송 장치를 도입한다.

르네사스의 자회사인 르네사스 세미컨덕터 매뉴팩처링 고후공장의 호리타(堀田) 공장장은 개소식에서 “가동까지 총 8만명, 가장 많을 때는 하루에 500명의 협력을 받았다”라고 회상한다. 새 라인 가동에 협력한 기업은 약 120개에 달한다.

클린룸은 천장을 기존보다 약 50cm 높여서 300mm에 대응하는 대형 제조장치가 들어가도록 했다. 동일본대지진으로 주력 거점인 나카공장(이바라키현)의 클린룸이 큰 피해를 입은 경험을 바탕으로 지진 대책도 강화했다.

-- IGBT부터 SiC, GaN까지 망라 --
25년 1월에 양산이 시작되면, 르네사스의 파워반도체 생산 능력은 현재 대비 약 2배로 늘어난다. 르네사스의 파워반도체 생산 거점으로서 최대 규모이며, 클린룸의 나머지 공간에 대한 설비투자나 새로운 건물 건설도 생각하고 있다. 시바타 사장은 “앞으로 점점 발전시켜 나가고 싶다”라며 전략 거점으로 삼겠다는 자세를 분명히 했다.

파워반도체를 강화하는 이유는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스 등 마이크로 컨트롤러 사업의 경쟁 기업이 파워반도체 분야에서 앞서고 있기 때문이다. ST마이크로일렉트로닉스나 독일 인피니언 테크놀로지스는 특히, EV 전용으로 수요가 급증하고 있는 SiC(탄화규소) 파워반도체에 거액을 투자하고 있다.

르네사스의 오퍼레이션 헤드인 Sailesh Chittipeddi 씨는 개소식에서 “파워반도체에는 (실리콘제) IGBT나 SiC, GaN(질화갈륨) 등이 있지만, 그들 사이에는 (성능이나 비용의) 트레이드오프가 존재한다. 다행히 우리는 이 모든 것을 보유하고 있다”라고 말했다.

SiC 파워반도체는 다카사키공장(군마현)의 150mm 라인에서 25년에 양산을 시작한다. GaN 파워반도체도 24년 중에 GaN 파워 트랜지스터 등을 전개하는 미국 트랜스폼(Transphorm)을 인수해 본격 참여한다.

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